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IXTQ80N28T

更新时间： 2024-01-14 19:52:32

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	90K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 280V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ80N28T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	280 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.049 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ80N28T 数据手册

Advance Technical Infomation

IXTQ 80N28T

V_DSS= 280

I_D25= 80

R_DS(on)= 49 mΩ

Trench Gate

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

For Plasma Display Applications

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-3P(IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

280

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

I_DRMS

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

240

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zTrench gate construction for low R_DS(on)

^zInternational standard package

^zLow package inductance

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

5.5

Weight

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D=1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

280

3.0

300

5.0

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

200

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

49 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99355B(03/06)

12 3 4 5

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IXTQ80N28T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ88N28T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFH86N30T	IXYS	功能相似	Trench HiperFET Power MOSFET

与IXTQ80N28T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ82N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ82N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ86N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ86N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N28T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N30P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET
IXTQ88N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ90N15T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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