IXTQ96N15P

更新时间： 2024-09-28 03:13:39

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	580K
描述
N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet

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IXTQ96N15P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	96 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ96N15P 数据手册

IXTQ 96N15P

IXTT 96N15P

V_DSS

I_D25

= 150 V

= 96 A

PolarHT^TM

Power MOSFET

R_DS(on)= 24 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Preliminary Data Sheet

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

150

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

= 25°C

250

E^Cxternal lead current limit

(TAB)

= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T^C_C= 25°C

E_AR

E_AS

= 25°C

1.0

T^C_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C= 25°C

480

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

High power density

2.5

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 150°C

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

24 mΩ

DS99131C(05/04)

12 3 4 5

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IXTQ96N15P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH96N15P	IXYS	类似代替	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV96N15P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTT96N15P	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet

与IXTQ96N15P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode
IXTQ96N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ96N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ96N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 250V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTR102N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTR10N20A	LITTELFUSE	获取价格	Transistor
IXTR120P20T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTR140P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTR16P60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTR16P60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.79ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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