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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | PLASTIC, TO-3P, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 96 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.029 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTV96N25T | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 250V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTQ100N25P | IXYS |
类似代替 |
PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTR102N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTR10N20A | LITTELFUSE |
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Transistor |
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| IXTR120P20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTR140P10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTR16P60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTR16P60P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.79ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTR170P10P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| IXTR170P10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTR200N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarTM HiPerFET Power MOSFET |
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| IXTR200N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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