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IXTR62N15P PDF预览

IXTR62N15P

更新时间： 2024-01-15 22:49:00
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXTR62N15P 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：36 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTR62N15P 数据手册

 浏览型号IXTR62N15P的Datasheet PDF文件第2页 
Preliminary Technical Information  
PolarHTTM Power  
MOSFET  
IXTC 62N15P  
IXTR 62N15P  
VDSS = 150  
ID25 = 36  
RDS(on) ≤ 45 mΩ  
V
A
(Electrically Isolated Tab)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS220 (IXTC)  
E153432  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 150° C  
TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 MΩ  
150  
150  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
ID25  
IDM  
TC =25°C  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
36  
150  
A
A
Isolated back surface  
ISOPLUS247 (IXTR)  
E153432  
IAR  
EAR  
EAS  
TC =25°C  
TC =25°C  
TC =25°C  
50  
30  
1.0  
A
mJ  
J
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤150° C, RG = 10 Ω  
,
10  
V/ns  
G
TC =25°C  
150  
W
D
Isolated back surface  
S
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
TL  
FC  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Features  
Mounting force  
ISOPLUS220  
ISOPLUS247  
11..65 / 2.5..15  
20..120 / 4.5..25  
N/lb  
N/lb  
l
International standard isolated  
packages  
UL recognized packages  
l
Weight  
ISOPLUS220  
ISOPLUS247  
3
5
g
g
l
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Fast intrinsic diode  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
l
l
l
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
150  
V
V
3.0  
5.0  
VGS  
=
20 VDC, VDS = 0  
100  
nA  
Advantages  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
10  
200  
µA  
µA  
l
Easy to mount  
Space savings  
TJ = 125° C  
l
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 31 A, Note 1  
45 mΩ  
l
High power density  
DS99622E(05/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
12

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IXTR62N15P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTC62N15P IXYS

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