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IXTT02N450HV

更新时间： 2024-03-25 22:02:01

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	241K
描述
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高达4.5kV的阻断电压。凭借通态电压的正温度系数，这种超高电压MOSFET适合并联工作，相比串联低压MO

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High Voltage

Power MOSFET

V_DSS

I_D25

R_DS(on) 625

= 4500V

= 200mA

IXTT02N450HV

IXTH02N450HV

TO-268HV (IXTT)

N-Channel Enhancement Mode

G

S

D (Tab)

TO-247HV (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

4500

4500

V

V

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

V

V

G

S

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

200

600

mA

mA

D (Tab)

D

P_D

T_C= 25C

113

W

G = Gate

D

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

C

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

Features

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in



High Blocking Voltage

High Voltage Packages

Weight

TO-268HV

TO-247HV

4

6

g

g



Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density





Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ. Max.

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

4.0

6.5

V

Applications

100 nA

A



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications

Pulse Circuits



I_DSS

V_DS= 3.6kV, V_GS= 0V

V_DS= 4.5kV

V_DS= 3.6kV

5



10 μA



Laser and X-Ray Generation Systems

T_J= 125C

15

μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 10mA, Note 1

625



DS100498C(10/14)

© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5 6

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与IXTT02N450HV相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTT100N25P	IXYS	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTT100N25P	LITTELFUSE	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格
IXTT10N100D	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTT10N100D	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTT10N100D2	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTT10N100D2	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格

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