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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 1058K |  |
| 描述 | ||
| Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTS30N20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-210AC |
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| IXTS30P10 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-210AC |
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| IXTT02N450HV | IXYS |
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High Voltage Power MOSFETs |
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| IXTT02N450HV | LITTELFUSE |
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超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
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| IXTT100N25P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTT100N25P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTT10N100D | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT10N100D | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT10N100D2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT10N100D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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