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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.46 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 110 A | 最大漏极电流 (ID)： | 110 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTH110N10L2 | IXYS |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH110N10L2 | LITTELFUSE |
功能相似 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT110N10P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTT110N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTT11P50 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTT11P50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2 |
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| IXTT120N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTT12N140 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1400V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTT12N150 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT12N150HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT12N150HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT12N150HV-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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