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IXTH110N10L2 PDF预览

IXTH110N10L2

更新时间： 2024-11-05 20:05:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网放大器脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 136K
描述
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTH110N10L2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.92其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：110 A最大漏极电流 (ID)：110 A
最大漏源导通电阻：0.018 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：600 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTH110N10L2 数据手册

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Advance Technical Information  
LinearL2TM Power  
MOSFET w/ Extended  
FBSOA  
VDSS = 100V  
ID25 = 110A  
RDS(on) ≤ 18mΩ  
IXTH110N10L2  
IXTT110N10L2  
N-Channel Enhancement Mode  
Guaranteed FBSOA  
Avalanche Rated  
TO-247 (IXTH)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
D
D (Tab)  
S
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-268 (IXTT)  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
110  
300  
A
A
G
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
110  
3
A
J
S
D (Tab)  
PD  
TC = 25°C  
600  
W
TJ  
-55 to +150  
+150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
TJM  
Tstg  
Tab = Drain  
-55 to +150  
TL  
1.6mm (0.063in) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
TSOLD  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
z Designed for Linear Operation  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6.0  
4.0  
g
g
z Integrated Gate Resistor for Easy  
Paralleling  
z Guaranteed FBSOA at 75°C  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Advantages  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
100  
2.5  
Typ.  
Max.  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
z
4.5  
z
±100 nA  
μA  
Applications  
IDSS  
5
TJ = 125°C  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
50 μA  
18 mΩ  
z Solid State Circuit Breakers  
z Soft Start Controls  
RDS(on)  
z Linear Amplifiers  
z Programmable Loads  
z Current Regulators  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100235(01/10)  
12345

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IXTH110N10L2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTT110N10L2 IXYS

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IXTH110N10L2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTH110N25T IXYS

获取价格

 		TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH110N25T LITTELFUSE

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 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTH11N100 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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 		Transistor,
IXTH11P50 IXYS

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 		Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH11P50 LITTELFUSE

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 		P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH120P065T IXYS

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 		TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode

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