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IXTH110N10L2

更新时间： 2024-11-06 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
6页	163K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTH110N10L2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37	其他特性：	AVALANCE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	110 A	最大漏极电流 (ID)：	110 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	600 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH110N10L2 数据手册

Advance Technical Information

LinearL2^TMPower

MOSFET w/ Extended

FBSOA

V_DSS= 100V

I_D25= 110A

R_DS(on)≤ 18mΩ

IXTH110N10L2

IXTT110N10L2

N-Channel Enhancement Mode

Guaranteed FBSOA

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

100

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (IXTT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

110

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

110

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

600

T_J

-55 to +150

+150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 to +150

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zDesigned for Linear Operation

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-247

TO-268

6.0

4.0

^zIntegrated Gate Resistor for Easy

Paralleling

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

±100 nA

μA

Applications

I_DSS

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

50 μA

18 mΩ

^zSolid State Circuit Breakers

^zSoft Start Controls

R_DS(on)

^zLinear Amplifiers

^zProgrammable Loads

^zCurrent Regulators

DS100235(01/10)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH110N25T	IXYS	获取价格	TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH110N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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IXTH11N80	IXYS	获取价格	MegaMOSFET
IXTH11N90	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH11N95	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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IXTH11P50	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
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