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IXTT140P10T

更新时间： 2024-01-02 19:54:45

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	175K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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技术参数
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IXTT140P10T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.73	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IXTT140P10T 数据手册

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TrenchP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= -100V

I_D25= -140A

IXTT140P10T

IXTH140P10T

R_DS(on)

≤

10mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXTT)

G

S

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

-100

-100

V

V

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±15

±25

V

V

G

D

S

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

-140

A

A

D (Tab)

- 400

I_A

T_C= 25°C

T_C= 25°C

-140

2.5

A

J

G = Gate

S = Source

D

= Drain

Tab = Drain

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

10

V/ns

W

568

Features

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

°C

°C

z

International Standard Packages

Avalanche Rated

Extended FBSOA

Fast Intrinsic Diode

Low R_DS(ON)and Q_G

z

z

z

z

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

4

6

g

g

Advantages

z

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

z

z

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

z

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

-100

V

V

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

z

- 2.0

- 4.0

z

z

±100 nA

z

I_DSS

- 10 μA

-150 μA

z

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

10 mΩ

DS100371B(01/13)

© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5 6 7

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与IXTT140P10T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTT16N10D2	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTT16N20D2	IXYS	Depletion Mode MOSFET	获取价格
IXTT16N20D2	LITTELFUSE	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电	获取价格
IXTT16N50D2	LITTELFUSE	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电	获取价格
IXTT16P60P	IXYS	Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTT16P60P	LITTELFUSE	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(	获取价格

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