是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.73 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT16N10D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT16N20D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET | |
IXTT16N20D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTT16N50D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTT16P60P | IXYS |
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Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode | |
IXTT16P60P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造,相比传统产品将通态电阻( | |
IXTT170N10P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTT170N10P | IXYS |
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PolarTM Power MOSFET | |
IXTT170N10P-TR | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT1N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |