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IXTT170N10P

更新时间： 2024-11-05 19:28:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXTT170N10P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A	最大漏极电流 (ID)：	170 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	715 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT170N10P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 170A

R_DS(on)≤ 9mΩ

IXTT170N10P

IXTQ170N10P

IXTK170N10P

TO-268 (IXTT)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Tab

TO-3P (IXTQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

100

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Tab

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

170

160

TO-264 (IXTK)

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

350

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Tab

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

T_C= 25°C

715

T_J

-55 to +175

+175

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 to +175

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-264 & TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-3P

TO-264

4.0

5.5

10.0

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

250 μA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 15V, I_D= 350A

9 mΩ

mΩ

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS99176F(01/10)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT170N10P-TR	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTT1N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N250HV-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N300P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTT1N300P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTT1N450HV	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFET
IXTT1N450HV	LITTELFUSE	获取价格	超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高
IXTT20N50D	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT20N50D	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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