是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-268AA |
包装说明: | TO-268, 3 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 3.98 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏源导通电阻: | 0.073 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-268AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 695 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT16N50D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTT16P60P | IXYS |
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Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode | |
IXTT16P60P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造,相比传统产品将通态电阻( | |
IXTT170N10P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTT170N10P | IXYS |
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PolarTM Power MOSFET | |
IXTT170N10P-TR | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT1N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET | |
IXTT1N250HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT1N250HV-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT1N300P3HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |