5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 3.98 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏源导通电阻： | 0.073 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 695 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT16N50D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
|
| IXTT16P60P | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTT16P60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
|
| IXTT170N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTT170N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarTM Power MOSFET |
|
| IXTT170N10P-TR | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT1N100 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage MOSFET |
|
| IXTT1N250HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT1N250HV-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT1N300P3HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
