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IXTT16N20D2 PDF预览

IXTT16N20D2

更新时间： 2024-02-24 16:52:10
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 178K
描述
Depletion Mode MOSFET

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IXTT16N20D2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268AA
包装说明：TO-268, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：3.98外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大漏源导通电阻：0.073 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-268AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：695 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IXTT16N20D2 数据手册

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IXTH16N20D2  
IXTT16N20D2  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
TO-247 Outline  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
gfs  
VDS = 20V, ID = 8A, Note 1  
7
12  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
5500  
1360  
607  
pF  
pF  
pF  
∅ P  
VGS = -10V, VDS = 25V, f = 1MHz  
1
2
3
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
46  
130  
270  
135  
ns  
ns  
ns  
ns  
Resistive Switching Times  
V
GS = + 5V, VDS = 100V, ID = 8A  
e
RG = 3.3Ω (External)  
Terminals: 1 - Gate  
2 - Drain  
3 - Source  
Qg(on)  
Qgs  
208  
28  
nC  
nC  
nC  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max.  
Inches  
Min. Max.  
VGS = + 5V, VDS = 100V, ID = 8A  
A
A1  
A2  
4.7  
2.2  
2.2  
5.3  
2.54  
2.6  
.185 .209  
.087 .102  
.059 .098  
Qgd  
110  
RthJC  
RthCS  
0.18 °C/W  
°C/W  
b
b1  
b2  
1.0  
1.65  
2.87  
1.4  
2.13  
3.12  
.040 .055  
.065 .084  
.113 .123  
0.21  
C
D
E
.4  
.8  
.016 .031  
.819 .845  
.610 .640  
20.80 21.46  
15.75 16.26  
Safe-Operating-Area Specification  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
e
L
L1  
5.20  
19.81 20.32  
4.50  
5.72 0.205 0.225  
Symbol  
SOA  
Test Conditions  
.780 .800  
.177  
VDS = 200V, ID = 2.1A, TC = 75°C, tp = 5s  
420  
W
∅P 3.55  
Q
3.65  
.140 .144  
5.89  
6.40 0.232 0.252  
R
S
4.32  
6.15 BSC  
5.49  
.170 .216  
242 BSC  
Source-Drain Diode  
TO-268 Outline  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
VSD  
IF = 16A, VGS = -10V, Note 1  
0.8  
1.3  
V
trr  
IRM  
QRM  
265  
14.3  
1.9  
ns  
A
μC  
IF = 8A, -di/dt = 100A/μs  
VR = 100V, VGS = -10V  
Note 1. Pulse test, t ≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%.  
Terminals: 1 - Gate  
3 - Source  
2 - Drain  
Tab - Drain  
PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATION  
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived  
from data gathered during objective characterizations of preliminary engineering lots; but also may yet  
contain some information supplied during a pre-production design evaluation. IXYS reserves the right  
to change limits, test conditions, and dimensions without notice.  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered  
by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508  
4,881,106 5,034,796  
4,835,592 4,931,844  
5,049,961  
5,063,307  
5,187,117  
5,237,481  
5,381,025  
5,486,715  
6,162,665  
6,259,123 B1  
6,306,728 B1  
6,404,065 B1 6,683,344  
6,534,343  
6,583,505  
6,727,585  
6,710,405 B2 6,759,692  
6,710,463  
7,005,734 B2 7,157,338B2  
7,063,975 B2  
6,771,478 B2 7,071,537  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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