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KTC5242A

更新时间： 2024-11-18 17:15:39

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3页	85K
描述
TO-3P(N)

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KTC5242A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P(N), 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	230 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

KTC5242A 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC5242A

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.

FEATURES

High Collector Voltage : V_CEO=230V(Min.)

Complementary to KTA1962A.

Recommended for 80W High Fidelity Audio Frequency

Amplifier Output Stage.

DIM MILLIMETERS

15.9 MAX

4.8 MAX

20.0+0.3

2.0+0.3

1.0+0.3/-0.25

2.0

1.0

3.3 MAX

9.0

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

4.5

2.0

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

230

UNIT

1.8 MAX

20.5 0.5

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

2.8

5.45+0.2

230

Φ3.2 0.2

0.6+0.3/-0.1

1. BASE

2. COLLECTOR (HEAT SINK)

3. EMITTER

I_B

Base Current

1.5

P_C

130

Collector Power Dissipation (Tc=25

Junction Temperature

)

TO-3P(N)

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=230V, I_E=0

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Collector Cut-off Current

5.0

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

I_C=50mA, I_B=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

230

h_FE(1) (Note) V_CE=5V, I_C=1A

160

DC Current Gain

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=5V, I_C=7A

0.4

1.0

200

I_C=8A, I_B=0.8A

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

3.0

1.5

V_CE=5V, I_C=7A

f_T

V_CE=5V, I_C=1A

Transition Frequency

MHz

C_ob

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

Collector Output Capacitance

Note : h_FE(1) Classification

R:55 110 , O:80 160

2004. 11. 26

Revision No : 0

1/3

12 3

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