Datasheet > IXTT16P60P

IXTT16P60P

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	137K
描述
Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTT16P60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.51	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.72 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT16P60P 数据手册

Preliminary Technical Information

PolarP^TM

Power MOSFET

IXTH16P60P

IXTT16P60P

V_DSS= - 600V

I_D25= - 16A

R_DS(on)

≤

720mΩ

TO-268 (IXTT)

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 600

TO-247 (IXTH)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

- 16

- 48

D (TAB)

= Drain

I_AR

T_C= 25°C

- 16

2.5

E_AS

G = Gate

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

S = Source

TAB = Drain

460

Features:

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

^zInternational standard packages

^zAvalanche Rated

^zRugged PolarP^TMprocess

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

Applications:

High side switching

Push-pull amplifiers

DC Choppers

Current regulators

Automatic test equipment

Advantages:

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Low gate charge results in simple

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

- 600

- 2.5

drive requirement

High power density

Fast switching

Easy to parallel

- 4.5

±100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

- 25 μA

- 200 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

720 mΩ

DS99988(5/08)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXTT16P60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH16P60P	IXYS	完全替代	Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode

与IXTT16P60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTT170N10P	IXYS	获取价格	PolarTM Power MOSFET
IXTT170N10P-TR	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTT1N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N250HV-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N300P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTT1N300P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTT1N450HV	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFET
IXTT1N450HV	LITTELFUSE	获取价格	超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高

与IXTT16P60P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTT16P60P

IXTT16P60P 技术参数

IXTT16P60P 数据手册

IXTT16P60P 替代型号

与IXTT16P60P相关器件

与IXTT16P60P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTT16P60P

IXTT16P60P 技术参数

IXTT16P60P 数据手册

IXTT16P60P 替代型号

与IXTT16P60P相关器件

与IXTT16P60P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？