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IXTT16P60P

更新时间： 2024-01-10 02:31:46

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5页	137K
描述
Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode

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IXTT16P60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.51	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.72 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT16P60P 数据手册

Preliminary Technical Information

PolarP^TM

Power MOSFET

IXTH16P60P

IXTT16P60P

V_DSS= - 600V

I_D25= - 16A

R_DS(on)

≤

720mΩ

TO-268 (IXTT)

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 600

TO-247 (IXTH)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

- 16

- 48

D (TAB)

= Drain

I_AR

T_C= 25°C

- 16

2.5

E_AS

G = Gate

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

S = Source

TAB = Drain

460

Features:

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

^zInternational standard packages

^zAvalanche Rated

^zRugged PolarP^TMprocess

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

Applications:

High side switching

Push-pull amplifiers

DC Choppers

Current regulators

Automatic test equipment

Advantages:

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Low gate charge results in simple

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

- 600

- 2.5

drive requirement

High power density

Fast switching

Easy to parallel

- 4.5

±100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

- 25 μA

- 200 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

720 mΩ

DS99988(5/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTT170N10P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IXTT170N10P	IXYS	PolarTM Power MOSFET	获取价格
IXTT170N10P-TR	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTT1N100	IXYS	High Voltage MOSFET	获取价格
IXTT1N250HV	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTT1N250HV-TRL	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格

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