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IXTT16P60P

更新时间： 2024-02-14 04:51:02
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 137K
描述
Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode

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IXTT16P60P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247包装说明：TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：8.51其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：2500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.72 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTT16P60P 数据手册

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IXTH16P60P  
IXTT16P60P  
Fig. 8. Transconductance  
Fig. 7. Input Admittance  
-20  
-18  
-16  
-14  
-12  
-10  
-8  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
TJ = - 40ºC  
25ºC  
TJ = 125ºC  
25ºC  
- 40ºC  
125ºC  
-6  
-4  
4
-2  
0
0
-3.5  
-4.0  
-4.5  
-5.0  
-5.5  
-6.0  
-3.5  
-40  
0
-2  
-4  
-6  
-8  
-10  
-12  
-14  
-16  
-18  
-20  
VGS - Volts  
ID - Amperes  
Fig. 9. Forward Voltage Drop of  
Intrinsic Diode  
Fig. 10. Gate Charge  
-50  
-45  
-40  
-35  
-30  
-25  
-20  
-15  
-10  
-5  
-10  
-9  
-8  
-7  
-6  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
VDS = - 300V  
D = - 8A  
I G = -1mA  
I
TJ = 125ºC  
TJ = 25ºC  
0
-0.5  
-1.0  
-1.5  
-2.0  
-2.5  
-3.0  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
100  
VSD - Volts  
QG - NanoCoulombs  
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area  
Fig. 11. Capacitance  
-
100.0  
10,000  
1,000  
100  
RDS(on) Limit  
C
iss  
100µs  
-
10.0  
1ms  
DC  
C
oss  
100ms  
10ms  
-
-
1.0  
TJ = 150ºC  
C = 25ºC  
Single Pulse  
C
rss  
T
= 1 MHz  
-5  
f
10  
0.1  
-
0
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
-35  
-
-
1000  
10  
100  
VDS - Volts  
VDS - Volts  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
12345

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IXTT16P60P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTH16P60P IXYS

完全替代

 Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode

与IXTT16P60P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTT170N10P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTT170N10P IXYS

获取价格

 		PolarTM Power MOSFET
IXTT170N10P-TR LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N100 IXYS

获取价格

 		High Voltage MOSFET
IXTT1N250HV LITTELFUSE

获取价格

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IXTT1N250HV-TRL IXYS

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