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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 240K |  |
| 描述 | ||
| 超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高达4.5kV的阻断电压。 凭借通态电压的正温度系数，这种超高电压MOSFET适合并联工作，相比串联低压MO | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 1.58 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT20N50D | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT20N50D | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT20P50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT20P50P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT21N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT21N50Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT22N60P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT240N15X4HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT24N50Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT24N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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