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IXTT26N50P

更新时间： 2024-11-05 19:44:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	335K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXTT26N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	78 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT26N50P 数据手册

IXTQ 26N50P

IXTT 26N50P

IXTV 26N50P

IXTV 26N50PS

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

≤

500

230 mΩ

PolarHV^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

D (TAB)

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

TO-268 (IXTT)

V_GSS

V_GSM

Continuos

Transient

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

D (TAB)

I_AR

T_C=25° C

PLUS220 (IXTV)

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

PLUS220SMD (IXTV_S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

Weight

TO-3P

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

5.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Advantages

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

230 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99206E(12/05)

12 3 4 5

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IXTT26N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV26N50P	IXYS	类似代替	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode
IXFH26N55Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFV26N50PS	IXYS	功能相似	Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode

与IXTT26N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT26N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT28N50Q	INFINEON	获取价格	Power MOSFETs Q-Class
IXTT2N170D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTT30N50L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTT30N50L2	IXYS	获取价格	Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode
IXTT30N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT30N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT30N60L2	IXYS	获取价格	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA
IXTT30N60L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正

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