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IXTT2N170D2

更新时间： 2024-03-12 21:01:42

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	186K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

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IXTT2N170D2 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1700V

I_D(on)> 2A

IXTT2N170D2

IXTH2N170D2

R_DS(on) 6.5

N-Channel

TO-268 (IXTT)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1700

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

P_D

T_C= 25C

568

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

• Normally ON Mode

Weight

TO-268

TO-247

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

- 2.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

Applications

- 4.5

• Audio Amplifiers

• Start-Up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

100 nA

I_DSX(off)

25 A

500 A

T_J= 125C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 1A, Note 1

6.5



V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1

DS100418C(3/17)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTT30N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT30N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT30N60L2	IXYS	获取价格	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA
IXTT30N60L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT30N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
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