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IXTT21N50Q

更新时间： 2024-11-18 20:46:31

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

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IXTT21N50Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.39	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1.5 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	21 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT21N50Q 数据手册

Advance Technical Information

IXTH 21N50Q

IXTT 21N50Q

V_DSS

I_D25

= 500 V

= 21 A

Power MOSFETs

Q-Class

R_DS(on)= 0.25 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXTT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

P_D

T_C= 25°C

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

^lIXYS advanced low Q_gprocess

^lLow gate charge and capacitances

- easier to drive

Weight

TO-247

TO-268

- faster switching

^lInternational standard packages

^lLow R_{DS (on)}

^lRated for unclamped Inductive load

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

switching (UIS) rated

^lMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

500

2.0

V_GS(th)

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.25

Ω

High power density

98867 (11/01)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT22N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT240N15X4HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT24N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTT26N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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