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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 428K | |
描述 | ||
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 36 A |
最大漏源导通电阻: | 0.17 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-268AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 108 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT38N30L2HV | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTT3N200P3HV | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路 | |
IXTT40N50L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT40N50L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT40N50L2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT440N04T4HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor | |
IXTT440N04T4HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT440N055T2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode | |
IXTT440N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTT44N25L2HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |