5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTT360N055T2
IXTT360N055T2 PDF预览

IXTT360N055T2

更新时间： 2024-11-06 14:57:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
8页 893K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTT360N055T2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.39
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

IXTT360N055T2 数据手册

 浏览型号IXTT360N055T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTT360N055T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTT360N055T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTT360N055T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTT360N055T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTT360N055T2的Datasheet PDF文件第7页 
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 55V  
ID25 = 360A  
RDS(on) 2.4m  
IXTH360N055T2  
IXTT360N055T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
TO-268  
(IXTT)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247  
(IXTH)  
TJ = 25C to 175C  
55  
55  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSM  
Transient  
20  
V
G
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25C (Chip Capability)  
360  
160  
A
A
A
D
D (Tab)  
S
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
900  
180  
960  
935  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
TC = 25C  
A
mJ  
W
EAS  
PD  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
Features  
TJM  
Tstg  
International Standard Package  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
Avalanche Rated  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Fast Intrinsic Diode  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Low RDS(on)  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
Advantages  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
55  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
          200 nA  
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
IDSS  
10 A  
High Current Switching Applications  
TJ = 150C  
300A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 100A, Note 1  
2.4 m  
© 2022 Littelfuse, Inc.  
DS100169B(10/22)  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IXTT360N055T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTT36N50P IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode
IXTT36N50P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT38N30L2HV LITTELFUSE

获取价格

 		这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT3N200P3HV LITTELFUSE

获取价格

 		Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTT40N50L2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT40N50L2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT40N50L2-TRL IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT440N04T4HV IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IXTT440N04T4HV LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT440N055T2 IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

与IXTT360N055T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证