型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT2N170D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTT30N50L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 | |
IXTT30N50L2 | IXYS |
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Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode | |
IXTT30N50L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTT30N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT30N60L2 | IXYS |
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Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA | |
IXTT30N60L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTT30N60P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTT30N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT360N055T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |