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IXTT120N15P PDF预览

IXTT120N15P

更新时间： 2023-01-02 15:13:38
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 213K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXTQ 120N15P  
IXTT 120N15P  
VDSS = 150 V  
ID25 = 120 A  
RDS(on) ≤ 16 mΩ  
PolarHTTM  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-3P (IXTQ)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
150  
150  
V
V
VDSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
ID25  
TC =25° C  
120  
75  
A
A
A
G
D
(TAB)  
S
ID(RMS)  
IDM  
External lead current limit  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
260  
IAR  
TC =25° C  
60  
A
EAR  
EAS  
TC =25° C  
TC =25° C  
60  
mJ TO-268 (IXTT)  
2.0  
J
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤150° C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
G
S
D (TAB)  
TC =25° C  
600  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting torque  
(TO-3P)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
l
Weight  
TO-3P  
TO-268  
5.5  
5.0  
g
g
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
l
l
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25° C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
150  
V
V
Advantages  
3.0  
5.0  
l
Easy to mount  
Space savings  
l
100  
nA  
l
High power density  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
500  
µA  
µA  
TJ = 175° C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
16 mΩ  
Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99280E(10/05)  
© 2005 IXYS All rights reserved  
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXTT12N140 IXYS Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1400V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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