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IXTT12N150HV

更新时间： 2024-09-14 19:10:59

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力特 - LITTELFUSE		/
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5页	150K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTT12N150HV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

IXTT12N150HV 数据手册

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS= 1500V

I_D25= 12A

R_DS(on) 2.2

IXTT12N150HV

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

TO-268HV

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1500

D (Tab)

V_DGR

G = Gate

S = Source

= Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

Tab = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

Features

890



High Blocking Voltage

High Voltage Package

Fast Intrinsic Diode



T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

Low Package Inductance

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

Weight



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1500

2.5

Typ.

Max.



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



4.5



Pulse Circuits

100 nA

I_DSS

25 A

T_J= 125C

500 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.2



DS100530B(6/15)

12 3 4 5

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