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IXTT100N25P PDF预览

IXTT100N25P

更新时间： 2024-09-27 03:13:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 610K
描述
PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTT100N25P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268AA
包装说明：TO-268, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.34其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：2000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-268AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：250 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTT100N25P 数据手册

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Advanced Technical Information  
IXTQ 100N25P  
IXTK 100N25P  
IXTT 100N25P  
VDSS = 250 V  
ID25 = 100 A  
RDS(on) = 27 mΩ  
PolarHTTM  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
TO-3P(IXTQ)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
T
= 25°C to 150°C  
250  
250  
V
V
TJJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
G
D
S
(TAB)  
VGSM  
20  
V
G = Gate,  
D = Drain,  
TAB = Drain  
ID25  
TC = 25°C  
100  
75  
A
A
A
S = Source,  
ID(RMS)  
IDM  
External lead current limit  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TO-268 (IXTT)  
250  
IAR  
TC = 25°C  
60  
A
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
60  
mJ  
J
G
S
2.0  
D (TAB)  
TO-264(SP) (IXTK)  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
TC = 25°C  
600  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G
D
S
D (TAB)  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Mounting torque  
300  
°C  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Features  
Weight  
TO-3P  
5.5  
10  
5
g
g
g
TO-264  
TO-268  
z
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z
z
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
250  
V
V
Advantages  
2.5  
5.0  
z
Easy to mount  
100 nA  
z
Space savings  
z
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25 µA  
250 µA  
High power density  
TJ = 125°C  
PolarHTTM DMOStransistors  
utilize proprietary designs and  
process. US patent is pending.  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
27 mΩ  
DS99118B(07/04)  
© 2004 IXYS All rights reserved  
12345

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IXTT100N25P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTQ100N25P IXYS

完全替代

 PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFH100N25P IXYS

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 PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFN100N25 IXYS

功能相似

 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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