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IXFN100N25

更新时间： 2024-01-04 00:09:40

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2页	61K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low

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IXFN100N25 数据手册

IXFN 100N25

Symbol

g_fs

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

miniBLOC, SOT-227 B

V_DS= 10 V; I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

C_iss

C_oss

C_rss

9100

1800

600

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

M4 screws (4x) supplied

Dim.

Millimeter

Min. Max.

31.50 31.88 1.240 1.255

Inches

Min.

R_G= 1 W (External),

110

Max.

7.80

8.20 0.307 0.323

4.09

4.29 0.161 0.169

Q_g(on)

Q_gs

300

4.09

4.29 0.161 0.169

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

14.91 15.11 0.587 0.595

Q_gd

160

30.12 30.30 1.186 1.193

38.00 38.23 1.496 1.505

11.68 12.22 0.460 0.481

R_thJC

R_thCK

0.22 K/W

K/W

8.92

9.60 0.351 0.378

0.76

0.84 0.030 0.033

0.05

12.60 12.85 0.496 0.506

25.15 25.42 0.990 1.001

1.98

2.13 0.078 0.084

4.95

5.97 0.195 0.235

26.54 26.90 1.045 1.059

Source-DrainDiode

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

3.94

4.72

4.42 0.155 0.174

4.85 0.186 0.191

24.59 25.07 0.968 0.987

-0.05 0.1 -0.002 0.004

Symbol

TestConditions

I_S

V_GS= 0 V

100

400

I_SM

Repetitive;

pulse width limited by T_JM

V_SD

I_F= I_S, V_GS= 0 V, Note 1

1.5

t_rr

250 ns

I_F= 50A,-di/dt = 100 A/ms, V_R= 100 V

Q_RM

I_RM

1.4

Note: 1. Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

2 - 2

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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IXFN100N25 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH100N25P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTQ100N25P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTT100N25P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXFN100N25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN100N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN100N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN100N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFN100N50Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFN100N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFN102N30P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN102N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN106N120	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXFN106N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN106N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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