是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-268AA | 包装说明: | PLASTIC, TO-268, 3 PIN |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 8.53 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 30 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-268AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTH10P60 | LITTELFUSE |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH10P60 | IXYS |
功能相似 |
Standard Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT110N10L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT110N10L2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTT110N10P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode | |
IXTT110N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT11P50 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTT11P50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 | |
IXTT120N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTT12N140 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1400V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTT12N150 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT12N150HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |