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IXTH10P60

更新时间： 2024-09-14 22:08:03

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Standard Power MOSFET

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IXTH10P60 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.45
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	30 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH10P60 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

IXTH 10P60

V_DSS= -600 V

Standard Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

I_D25

= -10 A

= 1 Ω

R_DS(on)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

-600

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

-10

-40

-10

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D=Drain,

TAB = Drain

E_AR

P_D

T_J

T_C= 25°C

300

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

°C

Features

-55 ... +150

• International standard package

JEDEC TO-247 AD

T_L

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

• Rugged polysilicon gate cell structure

Weight

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance (<5 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

• High side switching

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

• Push-pull amplifiers

• DC choppers

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= -250 µA

V_DS= V_GS, I_D= -250 µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

-600

-3.0

• Automatic test equipment

-5.0

±100

-25

µA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

(isolatedmountingscrewhole)

-1 mA

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= -10 V, I_D= 0.5 I_D25

1.0

Ω

98849 (8/01)

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IXTH10P60 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT10P60	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-

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IXTH110N25T	IXYS	获取价格	TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH110N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTH11N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH11N80	IXYS	获取价格	MegaMOSFET
IXTH11N90	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH11N95	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH11P45	IXYS	获取价格	Transistor,
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