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IXTT10N100D2

更新时间： 2024-02-29 23:52:59

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTT10N100D2 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	695 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT10N100D2 数据手册

Preliminary Technical Information

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 10A

IXTH10N100D2

IXTT10N100D2

R_DS(on) 1.5

N-Channel

TO-247 (IXTH)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-268 (IXTT)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

P_D

T_C= 25C

695

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

- 4.5

Applications

100 nA

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

I_DSX(off)

10 A

250 A

T_J= 125C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 5A, Note 1

1.5



V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

DS100326A(4/17)

12 3 4 5 6

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