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IXTT10N100D2

更新时间： 2024-02-24 08:03:52

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTT10N100D2 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	695 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT10N100D2 数据手册

IXTH10N100D2

IXTT10N100D2

Fig. 13. Capacitance

Fig. 14. Gate Charge

100,000

10,000

1,000

100

= 1 MHz

= 500V

= 5A

= 10mA

iss

-1

-2

-3

-4

-5

oss

rss

100

120

140

160

180

200

Q_G- NanoCoulombs

V_DS- Volts

Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area

@ T_C= 75^oC

Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area

@ T_C= 25^oC

100

DS(on)

Limit

DS(on)

Limit

25μs

100μs

1ms

10ms

T = 150^oC

10ms

T = 150^oC

= 75^oC

= 25^oC

100ms

Single Pulse

Fig. 17. Maximum Transient ₀Thermal Impedance

100

1,000

100

1,000

V_DS- Volts

Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance

hvjv

0.3

0.1

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

IXYS REF: T_10N100D2(8C)04-06-11

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