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IXTT10N100D2

更新时间： 2024-11-18 21:12:23

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXTT10N100D2 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	695 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT10N100D2 数据手册

Advance Technical Information

Depletion Mode

MOSFETs

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 10A

IXTH10N100D2

IXTT10N100D2

R_DS(on)≤ 1.5Ω

N-Channel

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (IXTT)

P_D

T_C= 25°C

695

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

D (Tab)

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250μA

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

- 4.5

Applications

±100 nA

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

I_DSX(off)

10 μA

250 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 5A, Note 1

1.5

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

DS100326(04/11)

12 3 4 5

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IXTT10N100D2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT10N100D	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH10N100P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXTT10N100D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT10P50	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT10P60	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT10P60	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
IXTT110N10L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT110N10L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTT110N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTT110N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT11P50	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT11P50	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTT120N15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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