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IXTH10N100D2

更新时间： 2024-11-18 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	164K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTH10N100D2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	695 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH10N100D2 数据手册

Preliminary Technical Information

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 10A

IXTH10N100D2

IXTT10N100D2

R_DS(on) 1.5

N-Channel

TO-247 (IXTH)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-268 (IXTT)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

1000

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

P_D

T_C= 25C

695

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

- 4.5

Applications

100 nA

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

I_DSX(off)

10 A

250 A

T_J= 125C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 5A, Note 1

1.5



V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

DS100326A(4/17)

12 3 4 5

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IXTH10N100D2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH10N100D	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH10N100P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXTT10N100D2	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXTH10N100D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH10N60	IXYS	获取价格	10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm
IXTH10N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247
IXTH10N80	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH10N90	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTH10N95	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH10P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-218VAR
IXTH10P50	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH10P50P	IXYS	获取价格	PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH10P50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTH10P60	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET

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