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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 300 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH10N95 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH10P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH10P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH10P50P | IXYS |
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PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH10P50P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTH10P60 | IXYS |
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Standard Power MOSFET |
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| IXTH10P60 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH110N10L2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH110N10L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTH110N25T | IXYS |
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TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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