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IXTH10P50P

更新时间： 2024-09-14 12:52:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 185K
描述
PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTH10P50P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：8.52其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTH10P50P 数据手册

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PolarPTM  
Power MOSFETs  
IXTA10P50P  
IXTP10P50P  
IXTQ10P50P  
IXTH10P50P  
VDSS = - 500V  
ID25 = - 10A  
RDS(on)  
≤
1Ω  
P-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXTA)  
TO-220AB (IXTP)  
TO-3P (IXTQ)  
G
S
G
D
S
G
D
D (Tab)  
S
D (Tab)  
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXTH)  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
- 500  
- 500  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
D
S
D (Tab)  
D = Drain  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
- 10  
- 30  
A
A
G = Gate  
S = Source  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
- 10  
1.5  
A
J
Tab = Drain  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
TC = 25°C  
10  
V/ns  
W
300  
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
z Rugged PolarPTM Process  
z Low Package Inductance  
z Fast Intrinsic Diode  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting Torque (TO-3P,TO-220 & TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
g
Advantages  
TO-247  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
- 500  
- 2.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = - 250μA  
VDS = VGS, ID = - 250μA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
z
High-Side Switches  
Push Pull Amplifiers  
DC Choppers  
Automatic Test Equipment  
- 4.0  
z
z
±100 nA  
z
IDSS  
- 10 μA  
- 250 μA  
z
Current Regulators  
TJ = 125°C  
RDS(on)  
VGS = -10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
1
Ω
DS99911C(12/12)  
© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXTH10P50P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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