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IXTH12N100L

更新时间： 2024-11-05 21:13:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	143K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXTH12N100L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	1.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH12N100L 数据手册

Linear^TMPower

MOSFET w/ Extended

FBSOA

V_DSS= 1000V

I_D25= 12A

R_DS(on)≤ 1.3Ω

IXTH12N100L

N-Channel Enhancement Mode

AvalancheRated

TO-247

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

Tab

I_D25

I_DM

T_C=25°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C=25°C

1.5

P_D

T_C=25°C

400

T_J

-55...+150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55...+150

• International Standard Package

• Designed for Linear Operation

• AvalancheRated

• Molding Epoxy Meets UL94 V-0

FlammabilityClassification

T_L

1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

M_d

MountingTorque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

• Easy to Mount

• SpaceSavings

• High Power Density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

• ProgrammableLoads

• CurrentRegulators

• DC-DCConverters

• BatteryChargers

• DCChoppers

• Temperature and Lighting Controls

5.5

±100 nA

I_DSS

50 μA

500 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 0.5 • I_DSS, Note 1

1.3

DS99126B(04/10)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH12N120	IXYS	获取价格	Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage
IXTH12N150	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH12N45	IXYS	获取价格	12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTH12N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N45MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N45MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N50	IXYS	获取价格	12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTH12N50A	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET
IXTH12N50MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N50MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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