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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH11N95 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH11P45 | IXYS |
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Transistor, |
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| IXTH11P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH11P50 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2 |
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| IXTH120P065T | IXYS |
获取价格 |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH120P065T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTH12N100 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET |
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| IXTH12N100L | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH12N100L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH12N120 | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage |
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