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IXTH11P50

更新时间： 2024-09-14 22:11:03

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2页	124K
描述
Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTH11P50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.87	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.75 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH11P50 数据手册

V_DSS

I_D25R_DS(on)

Standard Power MOSFET

P-ChannelEnhancementMode

IXTH/IXTT 10P50

-500 V -10 A 0.90 Ω

-500 V -11 A 0.75 Ω

AvalancheRated

IXTH/IXTT 11P50

TO-247AD(IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

-500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

10P50

11P50

-10

-11

TO-268 (IXTT) Case Style

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

10P50

-40

11P50

-44

10P50

11P50

-10

-11

(TAB)

E_AR

P_D

T_C= 25°C

D = Drain

300

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247AD

TO-268

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Low package inductance

- easy to drive and to protect

V_DSS

V_GS= 0 V, I = -250 µA

-500

BV_DSSTemp^Derature Coefficient

0.054

%/K

Advantages

Easy to mount

V_GS(th)

V_DS= V , I_D= -250 µA

-3.0

-5.0

V_GS(th)Te^Gm^SperatureCoefficient

-0.122

%/K

Space savings

High power density

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

-200

µA

-1 mA

R_DS(on)

V_GS= -10 V, I_D= 0.5 • I_D25

10P50

11P50

0.90

0.75

Ω

R_DS(on)TemperatureCoefficient

0.6 %/K

94535F (7/02)

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