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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH130N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH130N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH130N15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH130N15T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 150V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH130N15X4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH130N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH130N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTH13N110 | IXYS |
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MEGA MOS FET |
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| IXTH13N110 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH13N65 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
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