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IXTH152N085T

更新时间： 2024-02-25 18:19:38

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	185K
描述
Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXTH152N085T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	85 V	最大漏极电流 (ID)：	152 A
最大漏源导通电阻：	0.007 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	410 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH152N085T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTH152N085T

IXTQ152N085T

V_DSS= 85

I_D25= 152

R_DS(on)≤ 7.0 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

152

410

Lead Current Limit, RMS

(TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

750

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 5 Ω

V/ns

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

1.13 / 10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-3P

TO-247

5.5

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 °C Operating Temperature

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

ꢀ

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

Easy to mount

ꢀ

Space savings

2.0

4.0

ꢀ

High power density

± 200

Applications

ꢀ

Automotive

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

- Motor Drives

- 42V Power Bus

T_J= 150°C

250

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 25 A, Notes 1, 2

5.5

7.0 mΩ

- ABS Systems

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

ꢀ

Primary Switch for 24V and 48V

Systems

ꢀ

High Current Switching

Applications

DS99699 (11/06)

12 3 4 5

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IXTH152N085T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA152N085T	IXYS	类似代替	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTP152N085T	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET

与IXTH152N085T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH15N35MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-247(5)
IXTH15N35MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH15N40MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH15N40MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH15N45A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH15N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-247
IXTH15N50L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH15N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTH15N55	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH15N60	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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