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IXTP152N085T

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 220K
描述
Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET

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IXTP152N085T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：750 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：85 V
最大漏极电流 (ID)：152 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：410 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTP152N085T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 85  
ID25 = 152  
RDS(on) ≤ 7.0 mΩ  
V
A
IXTA152N085T  
IXTP152N085T  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-263 (IXTA)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
85  
85  
V
V
G
S
VGSM  
Transient  
20  
V
(TAB)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25° C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
152  
75  
410  
A
A
A
TO-220 (IXTP)  
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC = 25° C  
25  
750  
A
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
G
(TAB)  
D
S
TC = 25° C  
360  
W
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
3
2.5  
g
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Applications  
Automotive  
- Motor Drives  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
85  
V
V
2.0  
4.0  
- 42V Power Bus  
- ABS Systems  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
ꢀ
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
Systems  
High Current Switching  
TJ = 150° C  
ꢀ
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
5.8  
7.0 m Ω  
Applications  
DS99532 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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IXTP152N085T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTH152N085T IXYS

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 Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA152N085T IXYS

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