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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 54 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | PURE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP18P10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP18P10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP1N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTP1N100 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTP1N100P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTP1N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTP1N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTP1N120P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTP1N80 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage MOSFET |
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| IXTP1N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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