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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 285K | |
描述 | ||
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-220, 3 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.4 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.4 A | 最大漏源导通电阻: | 11 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 63 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 3 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP1R4N120P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTP1R4N120P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTP1R4N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP1R6N100D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET | |
IXTP1R6N100D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTP1R6N50D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET | |
IXTP1R6N50D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTP1R6N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET | |
IXTP200N055T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design | |
IXTP200N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |