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IXTP1R4N60P

更新时间： 2023-12-06 20:12:16

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	335K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M

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Polar^TM

Power MOSFET

IXTU1R4N60P

IXTY1R4N60P

IXTP1R4N60P

V_DSS= 600V

I_D25= 1.4A

R_DS(on) 9

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-251 (IXTU)

D (Tab)

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

1.4

2.1

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

1.4

E_AS

D (Tab)

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in



Weight

TO-251

TO-252

TO-220

0.40

0.35

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 25μA

V_DS= V_GS, I_D= 25μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

Applications

3.0

5.5



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



50 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives

I_DSS



T_J= 125C

20 A



Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1







High Voltage Pulse Power

Applications

DS99253F(6/17)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP1R6N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP1R6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP1R6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP1R6N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTP200N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTP200N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP-200N085T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP20N65X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP20N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

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