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IXTP1N100

更新时间： 2023-12-06 20:13:05

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力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关调节器
页数	文件大小	规格书
5页	604K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。功能与特色: 应用: 优点:

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IXTP1N100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.34	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP1N100 数据手册

V_DSS

I_D25

= 1000 V

= 1.5 A

IXTA 1N100

IXTP 1N100

High Voltage MOSFET

R_DS(on)= 11 Ω

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheEnergyRated

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

1.5

TO-263AA(IXTA)

I_AR

1.5

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

200

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 18 Ω

V/ns

D (TAB)

P_D

T_C= 25°C

G = Gate,

D = Drain,

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source,

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

y International standard packages

y High voltage, Low R_{DS (on)}HDMOS^TM

process

y Rugged polysilicon gate cell structure

y Fast switching times

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

y Switch-mode and resonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 25 µA

1000

2.5

4.5

y Flyback inverters

y DC choppers

y High frequency matching

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

100 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

25 µA

T_J^J= 125°C

500 µA

Advantages

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 1.0A

Ω

y Space savings

y High power density

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

98545C(08/04)

12 3 4 5

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与IXTP1N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP1N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP1N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP1N120P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP1N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP1N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTP1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP1R4N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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