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IXTP1R6N100D2

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	303K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

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IXTP1R6N100D2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTP1R6N100D2 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 1.6A

IXTY1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

IXTP1R6N100D2

R_DS(on) 10

N-Channel

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 AA (IXTA)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

P_D

T_C= 25C

100

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

D (Tab)

= Drain

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

G = Gate

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

S = Source

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 100A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

Advantages

- 4.5

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

100 nA

A

I_DSX(off)

T_J= 125C

25 A

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 0.8A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1

10 

• Audio Amplifiers

• Start-Up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

1.6

DS100185D(9/17)

12 3 4 5 6 7

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与IXTP1R6N100D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP1R6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP1R6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP1R6N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTP200N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTP200N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP-200N085T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP20N65X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP20N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTP20N65X2M	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTP20N65XM	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通

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