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IXTP20N65X2M

更新时间： 2024-09-14 14:56:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
6页	544K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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IXTP20N65X2M 数据手册

X2-Class

V_DSS= 650V

I_D25= 20A

IXTP20N65X2M

Power MOSFET^TM

R_DS(on) 185m

(Electrically Isolated Tab)

OVERMOLDED

TO-220

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

650

Isolated Tab

D = Drain

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

I_D25

I_DM

T_C= 25C, Limited by T_JM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

400

Features

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns



International Standard Package

Plastic Overmolded Tab

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

2500V~ Electrical Isolation

Low Package Inductance

T_J

-55 ... +150

150

C



T_JM

T_stg

-55 ... +150



T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in

Advantages

Weight



High Power Density

Easy to Mount



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



2.5

4.5



100 nA

A



Robotics and Servo Controls

I_DSS

T_J= 125C

50 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 10A, Note 1

155

185 m

DS100871E(03/21)

12 3 4 5 6

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与IXTP20N65X2M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP20N65XM	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXTP220N04T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTP220N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP220N055T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTP220N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTP22N15MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 22A I(D) \| TO-220(5)
IXTP22N15MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP22N20MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP22N20MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP22N50PM	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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