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IXTP1N120P

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	141K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXTP1N120P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.56	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A	最大漏极电流 (ID)：	1 A
最大漏源导通电阻：	20 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	63 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP1N120P 数据手册

Polar VHV^TM

Power MOSFET

IXTA1N120P

IXTP1N120P

V_DSS= 1200V

I_D25

1.0A

R_DS(on)

≤

20Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1200

(TAB)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

1.0

1.8

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

100

(TAB)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching

(UIS) rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.50

3.00

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Applications:

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

1200

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

2.5

4.5

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

±50 nA

μA

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

200 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

15.5

20 Ω

DS99870 (08/07)

12 3 4

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与IXTP1N120P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP1N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP1N80P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTP1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP1R4N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP1R4N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP1R6N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP1R6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET

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