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IXTP1R4N120P

更新时间： 2024-01-17 05:38:13

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	362K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXTP1R4N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A	最大漏极电流 (ID)：	1.4 A
最大漏源导通电阻：	13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	86 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP1R4N120P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120P

IXTA1R4N120P

IXTP1R4N120P

V_DSS= 1200V

I_D25= 1.4A

R_DS(on) 13

TO-252

(IXTY..HV)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-252

(IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1200

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

TO-263

(IXTA)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

1.4

3.0

D (Tab)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-220

(IXTP)

I_A

T_C= 25C

1.4

E_AS

150

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

T_J

-55 ... +150

150

C

D (Tab)

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



Weight

TO-252 / HV

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1200

Applications

2.5

4.5



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



100 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives



I_DSS





Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

T_J= 125C

300 A





High Voltage Pulse Power

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

10.5

13.0 

Applications

DS99871E(6/18)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTP1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP1R6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP1R6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP1R6N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTP200N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTP200N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
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