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IXTP1N80P

更新时间： 2023-02-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	331K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXTP1N80P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TM

Power MOSFET

IXTU1N80P

IXTY1N80P

IXTA1N80P

IXTP1N80P

V_DSS= 800V

I_D25= 1A

R_DS(on) 14

TO-251 (IXTU)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

800

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

TO-263 (IXTA)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

D (Tab)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-220 (IXTP)

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263 & TO-251)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



Weight

TO-251

TO-252

TO-263

TO-220

0.40

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

800

Applications

2.0

4.0



DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



100 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives

I_DSS



T_J= 125C

30 A



Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1







High Voltage Pulse Power

Applications

DS100112A(6/17)

12 3 4 5 6

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与IXTP1N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP1R4N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP1R4N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP1R4N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP1R4N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP1R6N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP1R6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP1R6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP1R6N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET

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